光刻机MA8 Gen4 Pro

一、光刻机MA8 Gen4 Pro

1.安装条件

环境温度: 17-24℃

相对湿度: <65%

电源: 230V/50/60 Hz

真空：< 0.8 bar

压缩空气：8 bar (116 psi)

氮气：3 bar

百级超净间

2.设备用途

光刻机在微电子制造中最直接的作用就是图案转移。MA8 Gen4 Pro光刻机是适用于实验室及批量生产用的小型光刻机平台

3.技术参数

设备结构可分为设备主体系统、曝光系统、显微对准系统、计算机图像系统、对准台等。

3.1 设备主体系统

（1）机台骨架：主体采用焊接方管骨架；

（2）定位方式：底部附万向转轮与活动式调整脚；

3.2 曝光系统

3.2.1 MA Gen4 Pro系列支持软接触、硬接触、接近接触和真空接触四种曝光模式，是一种全场曝光系统，能够对150毫米或200毫米的晶片和基板上曝光。设备光学器件配备掩模对准器，掩模对准器不仅通过平行光束和的光束进行曝光，以降低二次衍射图像的峰值强度。

3.3 显微对准系统

（1）顶侧对准 (TSA) MA/BA Gen4 Pro系列可配备手动或电动顶侧对准系统，并支持辅助或自动对准。

（2）底侧对准 (BSA) 允许对晶片的顶侧进行图案化，使特征与底侧精确对准。MA Gen4 Pro系列BSA系统提供 ＜μm的对准精度。

（3）红外对准 (IR) 允许处理不透明但IR透明的材料，例如GaAs，InP，硅或粘合剂。这些用于薄晶片处理或封装应用。

（4）手动对齐是基于手动或电动对齐阶段，可以精确地操作通过测微计螺钉或操纵杆的操作员。

（5）辅助对准代表了操作员辅助的半自动对准的最新发展。在手动校准期间，系统识别软件不断测量所达到的精度并将其报告给操作员。

（6）自动对齐系统不仅自动识别晶片和掩模目标位置，而且还控制对准台的移动。对齐运行完全自动化，无需操作员干预。

（7）DIRECTALIGN®软件辅助操作模式适用于实时图像而不是存储的对准目标，并且可靠地实现了低至0.25 μ m的精度。在对对准精度有较高要求的地方，可使用DirectAlign。

3.4 计算机图像系统

（1）带有目镜的SPLITFIELD显微镜为操作员提供了更大的视野，更高的聚焦深度和彩色图像。

（2）视频显微镜附有CCD相机的显微镜在LCD屏幕上显示对齐，以便于快速操作。

（3）SPLITFIELD/视频显微镜系统，带目镜和CCD相机。它在一个系统中结合了两个显微镜选项的优点。splitfield显微镜为操作员提供了更大的视野，更高的聚焦深度和彩色图像。

3.5 对准台系统

（1）对准台8吋及8吋一下的晶圆光刻

（2）有一定的碎片处理能力

（3）有压印光刻功能

4.设备技术指标

4.1 可加工机关尺寸：适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸；

4.2 光源：‌LED光源，包括 UV400 波段，含 I（365nm）G（405nm）H（436nm）三个波长，光强≥35mw/cm2@365nm（8英寸范围内）；光强均匀性≤±2.5% （8英寸范围365nm）‌

4.3 套刻精度：正面套刻精度≤±0.5um；背面套刻精度≤±1um

4.4 支持恒定功率、恒定剂量曝光。

4.5 顶部对准精度：< 0.5 μm

4.6 底部对准精度：< 0.1 μm

4.7 载片台运动范围：X: ± 5 mm、 Y: ± 5 mm、 θ: ± 5°

4.8 对准显微镜运动范围：X: 33–202 mm 、Y: + 18–100 mm 、θ: ± 5°